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          news:中国科学院院士中国光刻技术与国外差距15 - 20年

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          • 来源:手机投注-官网首页

          不再需要在中国发展半导体产业的决心。目前,中国最薄弱的领域是芯片制造业。在这方面,我们缺乏尖端的半导体生产设备,尤其是光刻技术,这是半导体芯片的生产。核心过程。

          在2019年中国IC设计大会上,中国科学院微电子研究所院士刘明也谈到了国内集成电路的一些技术基础,特别是光刻,指出了光刻技术技术。进展和不足。

          据刘明院士介绍,中国在EUV光源,多层膜,掩膜,光刻胶,超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展,但总体而言,国内光刻技术的差距而国外技术还有15到20年,这是整个集成电路中最大的差距。

          我们之前曾报道,目前荷兰ASML的EML光刻机已经可以制造7nm及以下工艺,但国产光刻机只能达到90nm工艺水平,其中大部分用于低端工艺生产线。在面板或生产线上,28nm及以下工艺仍需要进口ASML光刻机才能解决。

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